技報 第6号
目次
半導体素子設計シミュレータII
巻頭言
- 1.計算科学の基盤整備
技術展望
- 1.FUJI-RICスーパーコンピューティングサービス
特集 半導体素子設計シミュレータII
- 1.特集“半導体素子設計シミュレータ”の編集にあたって
- 2.富士総合研究所における半導体素子設計シミュレータの開発
- 3.プロセス・シミュレータPOLAR-2D／Aの改良
- 4.半導体素子設計総合シミュレータVEGAの最近の改良
- 5.2次元デバイス・シミュレータVENUS-2D／Bの改良
- 6.2次元デバイス・シミュレータVENUS-2D／Bへの緩和時間近似法の組み込み
- 7.モンテカルロ法に基づくイオン注入計算
論文・解説
- 1.三次元気液二相流解析プログラムMISTRALの開発
- 2.攪拌層解析技術の現状
- 3.数値解析支援エキスパート・システム開発支援ツールMINERVAの開発
- 4.科学技術計算を対象とした部品再利用システムの開発
- 5.確率論的リスク解析における機器故障率データベース
- 6.海洋大循環の数値モデルの開発とそれを用いた数値解析
- 7.二酸化炭素排出量の将来予測モデルとその用法－エドモンズ・レイリーモデルによるシミュレーション－
商品案内
お問い合わせ
担当：広報室
電話：03-5281-7548
