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技報 第3号

目次

半導体素子設計シミュレータ

巻頭言

  1. 1.スーパーコンピューティング分野におけるセンター・オブ・エクセレンスの構築

技術展望

  1. 1.ULSI技術のフロンティアと21世紀への展望

特集 半導体素子設計シミュレータ

  1. 1.特集“半導体素子設計シミュレータ”の編集にあたって
  2. 2.2次元プロセス・シミュレータPOLAR-2D/A
  3. 3.粒子モデルによる2次元GaAsデバイスシミュレータFEMTO-2DA
  4. 4.光磁気ディスク3次元磁化解析シミュレータLASMA
  5. 5.三次元配線定数解析シミュレータLCR-3D
  6. 6.反応性イオンエッチングにおける表面反応モデル
  7. 7.3次元リソグラフィ・シミュレーションと位相シフト法への応用
  8. 8.トポグラフィ・シミュレーションの実際
  9. 9.2次元デバイス・シミュレータVENUS-2D/BによるGaAsデバイス解析およびデバイス内温度解析

論文・解説

  1. 1.シールドトンネル縦断方向解析プログラムKING MOLEの開発
  2. 2.ヒューマンファクタ研究の現状

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担当:広報室
電話:03-5281-7548

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