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技報 第6号

目次

半導体素子設計シミュレータII

巻頭言

  1. 1.計算科学の基盤整備

技術展望

  1. 1.FUJI-RICスーパーコンピューティングサービス

特集 半導体素子設計シミュレータII

  1. 1.特集“半導体素子設計シミュレータ”の編集にあたって
  2. 2.富士総合研究所における半導体素子設計シミュレータの開発
  3. 3.プロセス・シミュレータPOLAR-2D/Aの改良
  4. 4.半導体素子設計総合シミュレータVEGAの最近の改良
  5. 5.2次元デバイス・シミュレータVENUS-2D/Bの改良
  6. 6.2次元デバイス・シミュレータVENUS-2D/Bへの緩和時間近似法の組み込み
  7. 7.モンテカルロ法に基づくイオン注入計算

論文・解説

  1. 1.三次元気液二相流解析プログラムMISTRALの開発
  2. 2.攪拌層解析技術の現状
  3. 3.数値解析支援エキスパート・システム開発支援ツールMINERVAの開発
  4. 4.科学技術計算を対象とした部品再利用システムの開発
  5. 5.確率論的リスク解析における機器故障率データベース
  6. 6.海洋大循環の数値モデルの開発とそれを用いた数値解析
  7. 7.二酸化炭素排出量の将来予測モデルとその用法-エドモンズ・レイリーモデルによるシミュレーション-

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